冷熱沖擊和高低溫循環與低溫(wen)沖(chong)擊試驗設(she)備(bei)的相關功能可以溶合(he)在一(yi)起做成(cheng)一(yi)臺(tai)設(she)備(bei)，它就是(shi)高(gao)低溫(wen)沖(chong)擊試驗設(she)備(bei)。即是(shi)一(yi)臺(tai)可以單(dan)獨做高(gao)溫(wen)沖(chong)擊試驗+單獨(du)做低(di)溫(wen)沖擊試驗+高低溫交變沖擊試驗(yan)的設備。

冷熱沖擊和高低溫循環特點:

 它們(men)方(fang)便于(yu)在溫度瞬間變(bian)化對試品的(de)性能和品質作出(chu)評(ping)價。愛佩(pei)科技生產的(de)具(ju)有以(yi)下幾個基本特點：

A、試驗系(xi)統結構設計(ji)先(xian)進合理，外殼采用(yong)進口激(ji)光加工(gong)而成,平整光(guang)滑(hua),制造工藝規范，外觀美觀、大方,給人帶來美感,維護保養方便(bian)。

B、零(ling)部件(jian)的(de)配套與(yu)組裝(zhuang)匹配性(xing)好(hao)，主(zhu)要功能(neng)元器件(jian)均(jun)采用具有先進(jin)水(shui)平的(de)原裝(zhuang)國外進(jin)口件(jian)，提高了產品的(de)安全(quan)性(xing)和可靠性(xing)，能(neng)保證用戶長時(shi)間(jian)、高頻率的(de)使用要求。

C、設備(bei)正常運行所需的附帶條件(jian)已有配備(bei)，買方只需提供動力電力、試(shi)驗消耗品(pin)和滿足要求(qiu)的工作環境即(ji)可。

高溫沖擊試驗設備|低溫沖擊試(shi)驗設備技術(shu)指(zhi)標

工作室(shi)尺寸：350×400×350（mm）；500×400×400（mm）；600×500×500（mm）；700×600×600（mm）（W×H×D）

外形尺寸：以選擇(ze)每款(kuan)工作室尺寸的實際(ji)外形尺寸為標準。

最高溫(wen)沖擊范圍：  150℃

低溫沖擊范圍：  -65℃

高(gao)低溫沖擊(ji)范圍有：-40℃～+150℃;-55℃～+150℃;-65℃～+150℃;

高溫室儲存最(zui)高溫度范圍(wei): 60℃～+200℃;

低溫室儲存低溫度(du)范圍: 60℃～-75℃;

高溫室升溫時間：+20℃～+200℃約60分鐘

低(di)溫(wen)(wen)室降(jiang)溫(wen)(wen)時(shi)間：+20℃～-75℃約100分鐘

溫度恢復(fu)時間: 3~5min（最快轉(zhuan)換時間在10秒(miao)鐘內可完成）

溫度波動度：±0.5℃

溫度偏差：  ≤±2℃

高(gao)溫(wen)沖擊試驗設(she)備|低溫(wen)沖擊試驗設備安全裝置:

配有:超溫(wen)保護;壓縮機(ji)超壓;過載(zai);過流保護;風(feng)機(ji)過載保護相序保護,漏電保護;

電源(yuan):AC380V50Hz

高溫沖擊試驗設備(bei)|低溫沖擊試驗設備主(zhu)要(yao)用于電子電器零組件塑膠等行業(ye)，國防工業(ye)、兵(bing)工業(ye)、航天(tian)、BGA、PCB基扳、、自(zi)動化(hua)零(ling)部件、通訊組件、汽車配件、金(jin)屬、化(hua)學(xue)材料(liao)、電子芯片IC、半導體陶磁及(ji)高分子材料之(zhi)物理牲變化進行試驗,可確認產品在(zai)(zai)環境(jing)中突變的性能。用(yong)來測試材料結構(gou)或(huo)復合材料，在(zai)(zai)瞬(shun)間(jian)下經高溫及極低(di)溫的連續環境(jing)下所(suo)能忍受的程度(du)，藉以在(zai)(zai)最短時間(jian)內試驗其熱(re)脹(zhang)冷縮(suo)所(suo)引起的化(hua)(hua)學(xue)變化(hua)(hua)或(huo)物(wu)理變化(hua)(hua)。